武漢新芯SPI NOR Flash-XM25QxxxC榮獲2021中國IC 設計成就獎之年度最佳存儲器獎項

2021年3月18日，由電子工程領域全球知名的技術媒體機構ASPENCORE舉辦的“2021中國IC領袖峰會暨中國IC設計成就獎頒獎典禮”在上海隆重舉行，武漢新芯采用50nm Floating Gate工藝生產的SPI NOR Flash芯片——XM25QxxxC產品系列斬獲2021中國IC設計成就獎之年度最佳存儲器獎項。

中國IC設計成就獎近二十年來一路伴隨和見證IC產業的成長和發展，是中國半導體業最重要的技術獎項之一，此次殊榮證明了武漢新芯及其自有品牌SPI NOR Flash產品獲得了產業鏈的高度認可和評價。武漢新芯自2017年開始推出自有品牌SPI NOR Flash產品，經過四年的耕耘，武漢新芯品牌的NOR Flash已經打入眾多知名消費類品牌供應鏈，銷售額與出貨量逐年穩步提升。

“感謝IC設計成就獎主辦單位和支持武漢新芯的產業界同仁們，此次獲獎體現了武漢新芯50nm Floating Gate工藝和自有品牌SPI NOR Flash產品在業界的地位。”武漢新芯COO孫鵬先生表示，“經過四年多的不斷研發和創新，武漢新芯推出的XM25QxxxC系列產品在性能、功耗和成本等方面具備明顯優勢。公司未來將加大研發投入，不斷提升產品實力和完善服務體系，全面布局大容量SPI NOR Flash產品線，持續發力于蓬勃發展的物聯網和移動通信市場，為客戶帶來更多高性價比的產品與解決方案。”

XM25QxxxC系列
榮獲2021中國IC設計成就獎之年度最佳存儲器獎項

武漢新芯2020年推出SPI NOR Flash芯片XM25QxxxC系列，該系列采用業界先進的Floating Gate 50nm工藝生產，在1.65V至3.6V電壓范圍內讀取速度可達133MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持）。在電源電壓下降后，時鐘速度沒有任何減慢，其傳輸速率可以勝過8位和16位并行閃存。在連續讀取模式下能實現高效的存儲器訪問，僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實現真正的XIP（execute in place）操作。

XM25QxxxC產品系列不僅在電壓范圍和數據讀取方面表現突出，其工作溫度也可達到-40℃到105℃的工業級溫度范圍，能滿足物聯網、工控、通訊等對外工作環境要求苛刻的應用模塊。

該系列產品在channel length, layout, design rule及外圍電路方面做了優化，有效節省芯片面積，充分降低綜合成本。其中256Mbit大容量寬電壓產品die size比市場主流產品縮小15%-20%左右，可支持SOP 8小尺寸封裝形式。

2020年武漢新芯在物聯網市場表現良好，其中搭配主芯片在IoT模組與無線通訊模塊應用出貨超過五千萬顆，在該領域是出貨量最大的國產SPI NOR Flash芯片。

關于武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC）

武漢新芯集成電路制造有限公司（“XMC^®”），于2006年在武漢成立，可提供40nm及以上工藝制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圓代工與技術服務。公司致力于成為值得信賴的半導體特色工藝引領者，為全球客戶提供高品質的創新產品及專業的技術服務。

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