武漢新芯提供從65nm到45nm的高性能NOR Flash技術服務，在12英寸NOR Flash領域已經積累了十多年的研發和大規模生產制造經驗，是業界先進的NOR Flash工藝制造商之一。

武漢新芯是全球首家量產45nm NOR Flash的制造商，單顆容量達到8Gbit。截至2022年底，武漢新芯NOR Flash晶圓累計出貨量超110萬片，覆蓋從消費類到工業級的全部市場應用。

XMC S-stacking^® 技術

武漢新芯S-stacking^®技術利用納米級互連技術將兩片晶圓在垂直方向直接連接在一起。

該技術能明顯減小芯片面積，實現更短的連接距離，同時可提升連接速度和通道數目，帶來高帶寬、低延時和低功耗等優勢。

武漢新芯S-stacking^®技術于2016年研發成功，其量產經驗及技術能力達到世界先進水平。該技術已成功應用于算力芯片、3D深度傳感器、3D堆疊存儲器等領域，給客戶帶來卓越的產品性能和用戶體驗。

XMC M-stacking^® 技術

武漢新芯M-stacking^®技術打破傳統封裝級HBM Micro-bump互連架構，采用無凸點（Bumpless）工藝實現多片晶圓的Cu-Cu互連和更低的互連電阻，達到更高的互連密度及對準精度，鍵合良率達99.5%。

在產品性能上，晶圓級堆疊比傳統HBM提高了20倍帶寬，并將芯片厚度降低了40%。

武漢新芯于2018年底完成3片晶圓級堆疊工藝驗證，2020年成功開發5片晶圓級堆疊工藝。武漢新芯M-stacking^®技術可以為高帶寬產品提供新的解決方案。此技術將為數據中心、存算一體、物聯網等應用提供更靈活更廣泛的選擇。

XMC Hi-stacking^® 技術

武漢新芯正在開發設計工藝靈活度更高的三維異質集成技術Hi-stacking^®（含2.5D interposer）。

此技術突破傳統封裝級連接方式，基于晶圓間三維集成技術，可開發針對不同芯片尺寸或不同基底材質的異質集成解決方案，從而使堆疊方案更靈活，同時提升堆疊后產品的良率，降低產品成本。

武漢新芯三維異質集成技術Hi-stacking^®可實現產品存儲容量和通信帶寬的倍增，未來將服務于對高性能、低功耗的多模塊異質系統集成有強烈需求的物聯網等領域。